RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Compara
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
40
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
18
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2148
3564
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link