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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
40
左右 -122% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
18
读取速度,GB/s
13.1
20.5
写入速度,GB/s
8.5
16.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2148
3564
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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