RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Compara
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Puntuación global
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
36
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.4
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2751
2763
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link