RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
79
En 63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
79
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link