RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
79
Por volta de 63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
13.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
79
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link