RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
79
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
79
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link