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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Compara
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Puntuación global
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Puntuación global
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
65
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
65
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2726
2041
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
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