RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
99
104
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.4
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
99
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
1386
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link