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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

総合得点
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.4
    テスト平均値
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB 考慮すべき理由
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    99 left arrow 104
    周辺 -5% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.4 left arrow 2,404.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 99
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 6.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 1386

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Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 9965589-030.D01G 8GB
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G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
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Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
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