RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Compara
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Puntuación global
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
35
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.7
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2726
3171
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link