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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Compara
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
35
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.7
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2726
2201
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
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Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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