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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
比较
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
总分
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
总分
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
35
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
34
读取速度,GB/s
16.2
14.3
写入速度,GB/s
10.7
10.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2726
2201
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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