RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Compara
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Puntuación global
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
36
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
32
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3084
3169
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Elpida EBE10UE8ACWA-6E-E 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link