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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Puntuación global
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
65
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
41
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
8.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1370
2126
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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