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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Pontuação geral
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
65
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.9
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
5.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
14900
Por volta de 1.14 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
41
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
8.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.4
7.7
Largura de banda de memória, mbps
14900
17000
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1370
2126
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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