RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сравнить
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
65
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
5.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
14900
Около 1.14 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
41
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
8.9
Скорость записи, Гб/сек
5.4
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
17000
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1370
2126
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link