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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Comparez
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Note globale
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
65
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.9
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14900
Autour de 1.14 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
41
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
8.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.4
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
17000
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1370
2126
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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