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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Vergleichen Sie
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Gesamtnote
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
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Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
65
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
5.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14900
Rund um 1.14 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
8.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.4
7.7
Speicherbandbreite, mbps
14900
17000
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1370
2126
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Absolute Latency
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