RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Compara
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Puntuación global
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
32
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
32
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3084
3693
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link