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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
60
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
27
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
2628
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology C 8GB
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