RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
104
En -181% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2387
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link