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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
60
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
41
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
3731
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
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