Comparación de la memoria RAM ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Puntuación global

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 95

En -239% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

11.8 4.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

7.9 3.1

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

635 1920

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns