RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Porównaj
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
95
Wokół strony -239% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
4.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
3.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
95
28
Prędkość odczytu, GB/s
4.2
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
3.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
635
1920
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link