Porównanie pamięci RAM ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Wynik ogólny

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 95

Wokół strony -239% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

11.8 4.2

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.9 3.1

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

635 1920

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns