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ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

総合得点
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ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB 考慮すべき理由
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 95
    周辺 -239% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 4.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 3.1
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    95 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    4.2 left arrow 11.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    3.1 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    635 left arrow 1920

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