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ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Confronto
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Motivi da considerare
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
95
Intorno -239% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
4.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
3.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
95
28
Velocità di lettura, GB/s
4.2
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
3.1
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
635
1920
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
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