Comparação RAM ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Pontuação geral

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 95

Por volta de -239% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

11.8 4.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

7.9 3.1

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

635 1920

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns