RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сравнить
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
95
Около -239% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
4.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
3.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
95
28
Скорость чтения, Гб/сек
4.2
11.8
Скорость записи, Гб/сек
3.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
635
1920
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link