RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сравнить
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
95
Около -239% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
4.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
3.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
95
28
Скорость чтения, Гб/сек
4.2
11.8
Скорость записи, Гб/сек
3.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
635
1920
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link