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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

総合得点
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 36
    周辺 -6% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 15
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 10.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
    周辺 1.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    15.0 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.3 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
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