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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
34
读取速度,GB/s
15.0
17.3
写入速度,GB/s
10.3
12.0
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2665
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
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