RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
36
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
2665
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link