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SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Compara
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB vs Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
4.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
43
En -48% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
43
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
8.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
4.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1993
1196
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
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