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SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Confronto
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB vs Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.5
8.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
4.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
43
Intorno -48% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
43
29
Velocità di lettura, GB/s
12.5
8.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
4.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1993
1196
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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