RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB vs Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 8.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 4.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB 考慮すべき理由
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 43
    周辺 -48% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    12.5 left arrow 8.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.8 left arrow 4.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1993 left arrow 1196

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB RAMの比較

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
メモリRAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
メモリRAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
メモリRAM