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Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
比較する
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
総合得点
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
総合得点
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
47
周辺 38% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
9.3
8.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
5.9
4.5
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
47
読み出し速度、GB/s
8.3
9.3
書き込み速度、GB/秒
4.5
5.9
メモリ帯域幅、mbps
10600
10600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1196
1413
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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