Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB против Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 47
    Около 38% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    9.3 left arrow 8.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    5.9 left arrow 4.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 47
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.3 left arrow 9.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    4.5 left arrow 5.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1196 left arrow 1413
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения