Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo
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Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 47
    Intorno 38% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    9.3 left arrow 8.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    5.9 left arrow 4.5
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 47
  • Velocità di lettura, GB/s
    8.3 left arrow 9.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    4.5 left arrow 5.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1196 left arrow 1413
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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