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Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Confronto
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
47
Intorno 38% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
8.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.9
4.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
29
47
Velocità di lettura, GB/s
8.3
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
4.5
5.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1196
1413
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
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