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Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Vergleichen Sie
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
47
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
4.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
29
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.3
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.5
5.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1196
1413
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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