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Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Gesamtnote
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Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Unterschiede

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 47
    Rund um 38% geringere Latenzzeit
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.3 left arrow 8.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 4.5
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    29 left arrow 47
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.3 left arrow 9.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    4.5 left arrow 5.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1196 left arrow 1413

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