RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
56
Rund um 50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2200
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link