RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
56
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
56
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2200
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link