RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3143
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link