RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3143
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link