RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
60
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
1,755.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,813.5
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,755.7
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
591
2366
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link