RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB против V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
53
60
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
1,755.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
53
Скорость чтения, Гб/сек
3,813.5
20.0
Скорость записи, Гб/сек
1,755.7
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
591
2366
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link