RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4051
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link