RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
81
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
81
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
1515
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link