RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2130
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link