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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
56
Intorno 50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
56
Velocità di lettura, GB/s
12.9
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2200
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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