RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
56
Por volta de 50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
56
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2200
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link