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Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Compara
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
47
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.9
4.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
29
47
Velocidad de lectura, GB/s
8.3
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
4.5
5.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1196
1413
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
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