Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Puntuación global
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Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 47
    En 38% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    9.3 left arrow 8.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    5.9 left arrow 4.5
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 47
  • Velocidad de lectura, GB/s
    8.3 left arrow 9.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    4.5 left arrow 5.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1196 left arrow 1413
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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